プロフィール

中村 修二

なかむら しゅうじ

生年月日1954年5月22日

２014年ノーベル物理学賞を受賞。

日本出身で米国籍を取得した技術者、電子工学者。博士（工学）（徳島大学、1994年）。

日亜化学工業時代に、世界に先駆けて実用に供するレベルの高輝度青色発光ダイオードの製造方法を発明・開発。同社の青色LED製品化に貢献するとともに、赤崎勇・天野浩と共同で2014年のノーベル物理学賞を受賞する。また、同技術の特許対価を求めた404特許の訴訟でも有名である。
2000年にはアメリカ合衆国のカリフォルニア大学サンタバーバラ校 (UCSB) 材料物性工学科教授へ転身。同大学の固体照明・エネルギーセンターのディレクターも務め、2007年には世界初となる無極性青紫半導体レーザーの開発に成功している。
また、科学技術振興機構のERATO中村不均一結晶プロジェクトの研究統括として、東京理科大学の窒化物半導体による光触媒デバイスの開発にも貢献し、信州大学、愛媛大学、東京農工大学の客員教授としても活躍した。
法政大学 教職課程センター長　Wikipedia

 

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